High indium content (InN)m/(GaN)n SPSs on relaxed InGaN templates
High indium content (InN)m/(GaN)n SPSs on relaxed InGaN templates
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松弛 InGaN 模板上的高铟含量 (InN)m/(GaN)n SPS
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Akihiko Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ke Wang;Kazuhide Kusakabe;Daichi Imai;and Akihiko Yoshikawa
