Properties of a GaAs single electron path switching node device using a single quantum dot for hexagonal BDD quantum circuits
Properties of a GaAs single electron path switching node device using a single quantum dot for hexagonal BDD quantum circuits
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用于六边形 BDD 量子电路的使用单量子点的 GaAs 单电子路径切换节点器件的特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tatsuya Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.M. Hashim;S. Kasai;K. Iizuka;T. Hashizume;H. Hasegawa;Wan-Cheng Zhang;Tatsuya Nakamura;Rui Jia;Seiya Kasai;Seiya Kasai;Tatsuya Nakamura
