Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN
Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN
复制标题
应变对GaN能带结构影响的紧束缚分析
DOI：
10.35848/1347-4065/acb7fe
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发表时间：
2023
影响因子：
1.5
通讯作者：
and N. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Miyazaki;H. Tanaka;and N. Mori
