Intrinsic and Extrinsic Charge Neutrality Levels in Semiconductors - an Empirical-Approach
Intrinsic and Extrinsic Charge Neutrality Levels in Semiconductors - an Empirical-Approach
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半导体中的内在和外在电荷中性水平 - 一种经验方法
DOI：
10.1016/0038-1098(92)90410-b
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发表时间：
1992
影响因子：
2.1
通讯作者：
F. Flores
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Gozzo;C. Coluzza;G. Margaritondo;F. Flores
