A.Yamamoto, Y.Yamauchi, M.Ohkubo, A Hashimoto and T.Saitoh: "Heteroepitaxial growth of InN on Si (111) using a GaAs intermediate layr" Solid-State Electronics. 41. 149-154 (1997)
A.Yamamoto, Y.Yamauchi, M.Ohkubo, A Hashimoto and T.Saitoh: "Heteroepitaxial growth of InN on Si (111) using a GaAs intermediate layr" Solid-State Electronics. 41. 149-154 (1997)
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A.Yamamoto、Y.Yamauchi、M.Ohkubo、A Hashimoto 和 T.Saitoh：“使用 GaAs 中间层在 Si (111) 上异质外延生长 InN”固态电子学。
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