Ti-Si-NおよびHf-Si-Nの抵抗率における窒素濃度および熱処理盤依存性
Ti-Si-NおよびHf-Si-Nの抵抗率における窒素濃度および熱処理盤依存性
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氮浓度和热处理板对 Ti-Si-N 和 Hf-Si-N 电阻率的依赖性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
財満鎭明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
宮本和明;ベン・アーバン;古米孝平;近藤博基;財満鎭明
