Atomistic study of GaSe/Ge(111) interface formed through van der Waals epitaxy (poster presentation)
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通过范德华外延形成的 GaSe/Ge(111) 界面的原子研究（海报展示）
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Yamada-Takamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yonezawa;T. Murakami;K. Higashimine;A. Fleurence;Y. Oshima;and Y. Yamada-Takamura
