Wet Etching for Texturisation of Crystalline Silicon Solar Cells
Wet Etching for Texturisation of Crystalline Silicon Solar Cells
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用于晶体硅太阳能电池织构化的湿法蚀刻
DOI：
10.4139/sfj.56.13
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Nishimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Nishimoto
照射された光を吸収し電気に変換する太陽電池にとって, 表面の反射率は大きな意味を持つ。表面の反射が大きいとそ れだけ太陽電池に侵入する光も少なく,得られる電力も少な い。したがって,太陽電池の高効率化には表面反射率を低減 し,より多くの光を取り込むことが重要となる。 結晶系シリコンが吸収できる光は波長が300~1200nmの 光であり,この波長域でのシリコン(単結晶,鏡面)の反射率 は40%近くにまで及ぶ。この損失を抑えるため,太陽電池 の表面には反射防止膜(Anti Reflection Coating:ARC)が 設けられているものの,それでも数%の反射による損失が生 じる。そこで一度反射した光が再度入射されるよう太陽電池 の表面に微小凹凸を形成し,表面反射率を低減させるという アプローチが1970年代に登場した 。このような微小凹凸 を総称して,テクスチャーと言い,現在,普及している太陽 電池にも使用されている。 テクスチャーの形成方法には機械的な加工などさまざまな 方法があるが,その量産性の高さからウェットエッチングに よる形成方法が用い