SiおよびSi_<1-x-y>Ge_xC_y上のNiシリサイド形成
SiおよびSi_<1-x-y>Ge_xC_y上のNiシリサイド形成
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在 Si 和 Si_<1-x-y>Ge_xC_y 上形成 Ni 硅化物
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安田幸夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中塚理;酒井朗;財満鎭明;安田幸夫
