Ferroelectric Zr-doped Hafnium Oxide for Memory Applications

Ferroelectric Zr-doped Hafnium Oxide for Memory Applications
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用于存储器应用的铁电掺锆铪

DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
影响因子：
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通讯作者：
Zhu, Wenjuan
Zhu, Wenjuan
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Ryu, Hojoon;Xu, Kai;Kim, Dongyoung;Rao, Fubo;Zhu, Wenjuan

文献摘要

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