Effects of sub-monolayer carbon reaction at Si surface on Ge dot growth on Si(100)
Effects of sub-monolayer carbon reaction at Si surface on Ge dot growth on Si(100)
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Si表面亚单层碳反应对Si(100)上Ge点生长的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Katsuyoshi Washio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuhki Itoh;Shinji Hatakeyama;Tomoyuki Kawashima;Katsuyoshi Washio
