Wafer-bonded Ge:Ga blocked-impurity-band far-infrared detectors, Proceedings of Infセared Millimeter and Terahertz Waves(IRMMW-THz)
Wafer-bonded Ge:Ga blocked-impurity-band far-infrared detectors, Proceedings of Infセared Millimeter and Terahertz Waves(IRMMW-THz)
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晶圆键合 Ge:Ga 阻挡杂质带远红外探测器，Inf Seared 毫米波和太赫兹波 (IRMMW-THz) 论文集
DOI：
10.1109/icimw.2010.5612767
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hosako,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sawayama;YりDoi;Y.;Kurayama;R.;Higurashi;E.;Patrashin;M.;Hosako,
我们报告了远红外阻挡杂质带（BIB）探测器的成功制造。通过使用表面激活键合 (SAB) 技术键合两个分立的锗晶片，我们在吸收层和阻挡层之间形成了清晰的边界界面，过渡层厚度为 8 nm。结果，与传统的 Ge:Ga 光电导体探测器相比，在 2 K 下实现了约 7 A/W 的良好响应度，并具有更长的截止波长。
We report a successful fabrication of a far-infrared blocked-impurity-band (BIB) detector. We achieve a clear boundary interface between an absorption layer and a blocking layer with a transition layer of 8 nm thick by bonding two discrete germanium wafers using surface activated bonding (SAB) technique. As the results, a good responsivity of ~7 A/W at 2 K has been achieved with extended cutoff wavelength compared to a conventional Ge:Ga photoconductor detector.