Substrate Doping Concentration Dependence on Random Telegraph Noise Spatial and Statistical Distribution in 30nm NAND Flash Memory
Substrate Doping Concentration Dependence on Random Telegraph Noise Spatial and Statistical Distribution in 30nm NAND Flash Memory
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30nm NAND 闪存中衬底掺杂浓度对随机电报噪声空间和统计分布的依赖性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshihiro Tomita and Kousuke Miyaji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
富田季宏;宮地幸祐;Toshihiro Tomita and Kousuke Miyaji
