AlGaInP DH-LED的pn结特性
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DOI：
10.3788/fgxb20133409.1213
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发表时间：
2013-09
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
王维彪
中科院分区：
文献类型：
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作者：
梁中翥;田超;秦余欣;王维彪
针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。