単一の重イオンが6H-SiC MOSFETに誘起する過渡電流の位置依存性
単一の重イオンが6H-SiC MOSFETに誘起する過渡電流の位置依存性
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单个重离子在 6H-SiC MOSFET 中感应的瞬态电流的位置依赖性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小野田忍
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐藤司;永井学志;小野田忍
