Deposition of Cubic-SiC Thin Films on Si (111) using the Molecular Ion Beam Technique
Deposition of Cubic-SiC Thin Films on Si (111) using the Molecular Ion Beam Technique
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使用分子离子束技术在 Si (111) 上沉积立方 SiC 薄膜
DOI：
10.1557/proc-585-165
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Gotô
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Matsumoto Takashi;K. Mimoto;M. Kiuchi;S. Sugimoto;S. Gotô
采用分子离子束技术，以甲基硅离子（SiCH 3 +）为前驱体，在750-1000 °C的生长温度下，在Si（111）衬底上制备了SiC薄膜。利用拉曼光谱和反射式高能电子衍射分析了SiC薄膜的化学结合和表面结构。结果，3C-SiC（111）生长在Si（111）衬底上，而不进行退火处理。
SiC thin films were formed on Si (111) at growth temperatures of 750–1000 °C using the molecular ion beam technique, with a precursor of methylsilicenium ions (SiCH 3 + ). The chemical bindings and surface structures of SiC thin films were analyzed by Raman spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction. As a result, 3C-SiC (111) was grown on Si (111) substrates without carbonized treatments.