Electrical properties of mechanically induced defects in single crystal silicon
Electrical properties of mechanically induced defects in single crystal silicon
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单晶硅机械诱导缺陷的电学特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hayato Izumi Yutaka Tokuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masatoshi Ogawa;Shoji Kamiya;Hayato Izumi Yutaka Tokuda
