Properties of semiconducting rhenium silicide thin films grown epitaxially on silicon (111)
Properties of semiconducting rhenium silicide thin films grown epitaxially on silicon (111)
复制标题
硅上外延生长的半导体硅化铼薄膜的特性 (111)
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Tan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Ali;P. Muret;T. Tan
