Electronic structure of heavily electron-doped BaFe1.7Co0.3As2 studied by angle-resolved photoemission
Electronic structure of heavily electron-doped BaFe1.7Co0.3As2 studied by angle-resolved photoemission
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角分辨光电研究重掺杂BaFe1.7Co0.3As2的电子结构
DOI：
10.1088/1367-2630/11/2/025020
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发表时间：
2008-12
影响因子：
3.3
通讯作者：
Nakayama, K.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, L. J.;Bowen, J. H.;Cao, G. H.;Richard, P.;Terashima, K.;Xu, Z-A;Ding, H.;Xu, Y-M;Sekiba, Y.;Takahashi, T.;Sato, T.;Nakayama, K.
我们已经进行了高分辨率的角度分辨光电子能谱重电子掺杂的非超导（SC）BaFe 1.7Co 0.3As 2。我们发现在掺空穴的超导体Ba_（0.6）K_（0.4）Fe_（2As）_2中观察到的布里渊区中心的两个空穴费米面口袋在该化合物中不存在或非常小，而在区角处的两个电子口袋由于Co替代的电子掺杂而显著膨胀。非SC和SC样品的费米面的比较表明，通过反铁磁波矢连接的空穴和电子口袋的共存是实现铁基超导体的超导性机制的必要条件。
We have performed high-resolution angle-resolved photoemission spectroscopy on heavily electron-doped non-superconducting (SC) BaFe1.7Co0.3As2. We find that the two hole Fermi surface pockets at the Brillouin zone center observed in the hole-doped superconducting Ba0.6K0.4Fe2As2 are absent or very small in this compound, while the two electron pockets at the zone corner significantly expand due to electron doping by the Co substitution. Comparison of the Fermi surface between non-SC and SC samples indicates that the coexistence of hole and electron pockets connected via the antiferromagnetic wave vector is essential in realizing the mechanism of superconductivity in the iron-based superconductors.
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影响因子：
8.6
作者：
K. Kuroki;S. Onari;R. Arita;H. Usui;Yukio Tanaka;H. Kontani;H. Aoki
通讯作者：
K. Kuroki;S. Onari;R. Arita;H. Usui;Yukio Tanaka;H. Kontani;H. Aoki
影响因子：
3.7
作者：
L. Wray;D. Qian;D. Hsieh;Y. Xia;L. Li;J. Checkelsky;A. Pasupathy;K. Gomes;C. Parker;A. Fedorov;G. Chen;J. Luo;A. Yazdani;N. Ong;N. L. Wang;M Zahid Hasan
通讯作者：
L. Wray;D. Qian;D. Hsieh;Y. Xia;L. Li;J. Checkelsky;A. Pasupathy;K. Gomes;C. Parker;A. Fedorov;G. Chen;J. Luo;A. Yazdani;N. Ong;N. L. Wang;M Zahid Hasan
影响因子：
3.5
作者：
Ren Zhi-An;Lu Wei;Zhao Zhong-Xian
通讯作者：
Zhao Zhong-Xian
影响因子：
8.6
作者：
Sefat, Athena S.;Jin, Rongying;Mandrus, David
通讯作者：
Mandrus, David
影响因子：
8.6
作者：
Fa Wang;H. Zhai;Ying Ran;A. Vishwanath;Dung-Hai Lee
通讯作者：
Fa Wang;H. Zhai;Ying Ran;A. Vishwanath;Dung-Hai Lee