Velocities of Screw and 60° Dislocations in n- and p-Type Silicon
Velocities of Screw and 60° Dislocations in n- and p-Type Silicon
复制标题
n 型和 p 型硅中的螺旋速度和 60° 位错
DOI：
10.1002/pssa.2210530216
复制
发表时间：
1979
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Champier
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. George;G. Champier
测量了硅中螺位错和60°位错在5 2 0~80 0℃温度范围和4~30 mNm−2应力范围内的速度，以及不同浓度的磷和硼原子。N掺杂增加了螺位错和60°位错的速度。在中等磷掺杂的Si中，螺位错没有明显的影响，而60°位错的速度略低于本征Si。讨论了掺杂对位错速度的影响，主要依据Haasen关于位错所携带的电荷对形成双扭结的影响的计算。在60°位错的情况下，该模型很好地描述了重掺杂Si(≈1019个原子cm−3)的测量结果，但低估了中等掺杂水平下观察到的效应。
在温度为520A 800°C和温度为4A的30 MNM−2的作用下，将不同浓度的荧光粉倒入孔中。在60°的情况下，位错与位错之间的距离为60°。Dans le silicium de type p型，浇注的是掺杂物，它的作用是观察到位错的存在，主要是位错的60°测量，这是一个细胞测量的结果。L的影响主要是由于L的助手哈森，而L的影响主要是由于电荷转移造成的错位形成了双打。位错为60°，模型为硅化硅强化材料(≈1019原子厘米−3)的有效成分，同时L的效应观察到了缺陷和缺陷。
The velocities of screw and 60° dislocations in silicon are measured for temperatures ranging from 520 to 800 °C and stresses ranging from 4 to 30 MNm−2 and for various concentrations of phosphorous or boron atoms. n-doping results in an increase of the velocities of screw and 60° dislocations. In moderately p-doped Si, no clear effect is observed for screw dislocations while the velocities of 60° dislocations are slightly lower than in intrinsic Si. The effect of doping on the dislocation velocity is discussed mainly in terms of Haasen's calculation of the influence of the electrical charge carried by the dislocation on the formation of a double kink. In the case of 60° dislocations, the model fairly describes the measurements in heavily doped Si (≈ 1019 atoms cm−3) but underestimates the effect observed at moderate levels of doping.
Les vitesses des dislocations vis et a 60° dans le silicium ont ete mesurees en fonction de la temperature de 520 a 800 °C et de la contrainte de 4 a 30 MNm−2, pour differentes concentrations en phosphore ou en bore. Le dopage n provoque une augmentation des vitesses aussi bien pour les dislocations vis que pour les dislocations a 60°. Dans le silicium de type p, pour des dopages pas trop eleves, aucun effet n'a ete clairement observe pour les dislocations vis, mais les vitesses des dislocations a 60° sont legerement inferieures a celles mesurees dans le silicium intrinseque. L'influence du dopage sur la vitesse des dislocations est discutee principalement a l'aide du modele de Haasen, qui calcule l'influence de la charge electrique portee par la dislocation sur la formation des doubles decrochements. Dans le cas des dislocations a 60°, le modele rend bien compte des mesures effectuees dans du silicium fortement dope (≈ 1019 atomes cm−3) et sous estime l'effet observe pour des dopages plus faibles.