Non-destructive evaluation of the strain distribution in ion irradiated wide-gap semiconductors for MOSFETs
Non-destructive evaluation of the strain distribution in ion irradiated wide-gap semiconductors for MOSFETs
复制标题
MOSFET 离子辐照宽带隙半导体应变分布的无损评估
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Nakagawa and H. Kishimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Shibayama;Subing Yang;Y. Nakagawa and H. Kishimoto
