位相量子論理回路によるSFQ シフトレジスタメモリの高密度化
位相量子論理回路によるSFQ シフトレジスタメモリの高密度化
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使用相量子逻辑电路的高密度SFQ移位寄存器存储器
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉川信行
中科院分区：
文献类型：
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作者：
夏目侑紀;五十嵐正憲;中禮浩二;吉川信行
