コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
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用电导法分析p型SiC MOS界面的快慢响应水平
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢野裕司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
唐本祐樹;張旭芳;岡本大;染谷満;畠山哲夫;原田信介;岩室憲幸;矢野裕司
