Precise Tuning of Electrical Properties of Nanogap-Based Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration Method
Precise Tuning of Electrical Properties of Nanogap-Based Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration Method
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使用场发射感应电迁移方法精确调节基于纳米间隙的单电子晶体管的电性能
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Morihara and J. Shirakashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kase;K. Okada;K. Morihara and J. Shirakashi
