Micro-photoluminescence characterizations of GaInAsP/InP single quantum wires fabricated by dry etching and regrowth
Micro-photoluminescence characterizations of GaInAsP/InP single quantum wires fabricated by dry etching and regrowth
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干法刻蚀再生长GaInAsP/InP单量子线的微光致发光表征
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Maruyama and S. Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Itoh;M. Yoshita;H. Akiyama;D. Plumwongrot;T. Maruyama and S. Arai
