Low-loss EELS of 2D boron nitride
Low-loss EELS of 2D boron nitride
复制标题
二维氮化硼的低损耗 EELS
DOI：
10.1088/1742-6596/371/1/012060
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Nicholls R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nicholls R
电子能量损失谱提供了一种材料介电功能的探针，该介电功能可能受到样品尺寸和形态的影响。本文研究了六方氮化硼还原成单层后对损耗函数的影响。先前预测的光谱红移在实验中看到，并通过使用密度泛函理论的建模再现。介电函数表明，对于单层，屏蔽的缺乏导致介电函数的真实的部分趋于1，使得损耗函数类似于介电函数的虚部。
Electron energy loss spectroscopy provides a probe of the dielectric function of a material which can be affected by the size and morphology of a sample. In this paper, the effect on the loss function when hexagonal boron nitride is reduced to a single layer is investigated. The previously predicted red-shift of the spectrum is seen in experiment and reproduced by modelling using density functional theory. The dielectric function shows that, for a single layer, the lack of screening causes the real part of the dielectric function to tend to 1 so that the loss function resembles the imaginary part of the dielectric function.
影响因子：
3.7
作者：
Kociak, M;Henrard, L;Colliex, C
通讯作者：
Colliex, C
影响因子：
56.9
作者：
Coleman, Jonathan N.;Lotya, Mustafa;Nicolosi, Valeria
通讯作者：
Nicolosi, Valeria
利兹大学/谢菲尔德大学（英国）
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
通讯作者：
--