Katsuyuki Sekine: "Silicon nitride film growth for advanced gate dielectric at low temperature employing high-density and low-energy ion bombardment"Journal of Vacuum Science&Technology A. 17・5. 3129-3133 (1999)
Katsuyuki Sekine: "Silicon nitride film growth for advanced gate dielectric at low temperature employing high-density and low-energy ion bombardment"Journal of Vacuum Science&Technology A. 17・5. 3129-3133 (1999)
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Katsuyuki Sekine：“采用高密度和低能量离子轰击的先进栅极电介质的氮化硅薄膜生长”真空科学与技术杂志 A. 17・5 (1999)。
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