Iterface kinetics at {100}, {110}, and {111} silicon planes during melt-growth process
Iterface kinetics at {100}, {110}, and {111} silicon planes during melt-growth process
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熔融生长过程中{100}、{110}和{111}硅面的界面动力学
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kozo Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shashank Shekar Mishra;Lu-Chung Chuang;Jun Nozawa;Kensaku Maeda;Haruhiko Morito;Kozo Fujiwara
