1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)
1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)
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1270V、1.21mΩ cm^2 SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T.Yatsuo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Tanaka;K.Yano;M.Okamoto;A.Tanaka;K.Arai;and T.Yatsuo
