Erratum: “Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing GaN substrates” [Appl. Phys. Lett. 92, 091912 (2008)]
Erratum: “Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing GaN substrates” [Appl. Phys. Lett. 92, 091912 (2008)]
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勘误：“在低密度缺陷独立 GaN 衬底上通过金属有机气相外延生长的几乎无堆垛层错的 m 面 GaN 同质外延薄膜的光学特性”[Appl. 92, 091912 (2008)]
DOI：
10.1063/1.2991440
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Ohta
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Chichibu;H. Yamaguchi;L. Zhao;M. Kubota;K. Okamoto;H. Ohta
