単色陽電子ビームによる金属ゲート形成により絶縁膜へ導入された欠陥の検出
単色陽電子ビームによる金属ゲート形成により絶縁膜へ導入された欠陥の検出
复制标题
使用单色正电子束检测因金属栅极形成而引入绝缘膜的缺陷
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
鳴海貴允・上殿明良・染谷満・杉村聡太郎・山部紀久夫・松木武雄・渡辺俊成・三浦崇義・栄森貴尚・山田啓作
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Norio;Tokuda・Hitoshi Umezawa・Sung;Gi Ri・Masahiko;Ogura・Kikuo;Yamabe・Hideyo;Okushi and Satoshi;Yamasaki.;鳴海貴允・上殿明良・染谷満・杉村聡太郎・山部紀久夫・松木武雄・渡辺俊成・三浦崇義・栄森貴尚・山田啓作
