10 Gbit/s operation of uni-travelling-carrier photodiode module at 2.6 K
10 Gbit/s operation of uni-travelling-carrier photodiode module at 2.6 K
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单行载流子光电二极管模块在 2.6 K 下运行 10 Gbit/s
DOI：
10.1049/el:20082215
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发表时间：
2008
影响因子：
1.1
通讯作者：
Z. Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hiroshi Ito;T. Furuta;S. Kodama;K. Yoshino;T. Nagatsuma;Z. Wang
本文研究了单载波光电二极管组件在低温下的高比特率操作，以证明其作为低温电子学光电信号接口的可行性。在2.6至293 K的温度下，响应度几乎恒定，并且该模块在2.6 K下以高达10 Gbit/s的比特率工作。
High bit rate operations of a uni-travelling-carrier photodiode module at cryogenic temperatures are investigated to demonstrate its feasibility as an optical-to-electrical signal interface for cryogenic electronics. The responsivity is almost constant at temperatures from 2.6 to 293 K, and the module operates at bit rates of up to 10 Gbit/s at 2.6 K.