Carrier Mobility in p-MOSFET with Atomic-Layer-Deposited Si-Nitride/SiO_2 Stack Gate Dielectrics
Carrier Mobility in p-MOSFET with Atomic-Layer-Deposited Si-Nitride/SiO_2 Stack Gate Dielectrics
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采用原子层沉积 Si-Nitride/SiO_2 叠栅电介质的 p-MOSFET 中的载流子迁移率
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Anri Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Anri Nakajima
