Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure
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DOI：
10.1016/j.vacuum.2012.02.038
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
J. Ao;Y. Naoi;Y. Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Ao;Y. Naoi;Y. Ohno
