Theoretical Study on H Intercalation into Buffer Layer Grown on SiC(0001)
Theoretical Study on H Intercalation into Buffer Layer Grown on SiC(0001)
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SiC(0001)上生长的缓冲层中H插层的理论研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Nara;T. Yamasaki;and T. Ohno
