Formation of Al and Hf Germanates as Interlayers between High-κ Dielectrics and Ge Substrates by Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition
Formation of Al and Hf Germanates as Interlayers between High-κ Dielectrics and Ge Substrates by Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition
复制标题
通过自由基增强原子层沉积在高 K 电介质和 Ge 基底之间形成 Al 和 Hf 锗酸盐作为中间层
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Fukuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Yamada;Y. Otani;C. Yamamoto;J. Yamanaka;T. Sato;H. Okamoto;Y. Fukuda
