Solid phase epitaxy of GeSn alloys on silicon and integration in MOSFET devices
Solid phase epitaxy of GeSn alloys on silicon and integration in MOSFET devices
复制标题
GeSn 合金在硅上的固相外延及其在 MOSFET 器件中的集成
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jean-Pierre Locquet
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ruben R. Lieten;Tatsuro Maeda;Jin Won Seo;Wipakorn Jevasuwan;Hiroyuki Hattori;Noriyuki Uchida;Shu Miura;Masatoshi Tanaka;Claudia Fleischmanna;Andre Vantomme;Brett C. Johnson;Jean-Pierre Locquet
