Definition of dielectric breakdown for ultra thin (<2 nm) gate oxides
Definition of dielectric breakdown for ultra thin (<2 nm) gate oxides
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超薄（<2 nm）栅极氧化物介电击穿的定义
DOI：
10.1016/s0038-1101(96)00111-6
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发表时间：
1997
影响因子：
1.7
通讯作者：
M. Heyns
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Depas;T. Nigam;M. Heyns
