Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials for High Performance Artificial Synaptic Device
Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials for High Performance Artificial Synaptic Device
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用于高性能人工突触器件的掺杂 Sb2Te3 相变材料
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Matsuhashi and T. Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yin;K. Niiyama;W. Matsuhashi and T. Fujiwara
