AES and XPS studies of a GaP(001) surface treated by S2C12 and P2S2/(NH4)2Sx
AES and XPS studies of a GaP(001) surface treated by S2C12 and P2S2/(NH4)2Sx
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经过 S2C12 和 P2S2/(NH4)2Sx 处理的 GaP(001) 表面的 AES 和 XPS 研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Z.Liu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tamio Endo;Masanori Okada;Michi Ogata;Takahisa Sakurada;Ajay K. Sarkar;K.Z.Liu
