軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態の選択的観測
軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態の選択的観測
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软X射线吸收和发射光谱选择性观察SiO2/Si界面电子态
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
常行真司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山下良之;山本達;向井孝三;吉信淳;原田慈久;徳島高;高田恭孝;辛埴;赤木和人;常行真司
