Electronic Properties of Si- and Ge-atom Doped In Clusters; In_nSi_m and In_nGe_m
Electronic Properties of Si- and Ge-atom Doped In Clusters; In_nSi_m and In_nGe_m
复制标题
团簇掺杂硅原子和锗原子的电子特性；
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Nakajima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Akutsu;K.Koyasu;J.Atobe;K.Miyajima;M.Mitsui;A.Nakajima
