Crystalline and electrical properties of epitaxial HfGe2/Ge contact for lowering Schottky barrier height
Crystalline and electrical properties of epitaxial HfGe2/Ge contact for lowering Schottky barrier height
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用于降低肖特基势垒高度的外延 HfGe2/Ge 接触的晶体和电学特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Nakatsuka;A. Suzuki;J. McVittie;Y. Nishi;and S. Zaima O. Nakatsuka;A. Suzuki;J. McVittie;Y. Nishi;and S. Zaima
