Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs
Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs
复制标题
高级 MOSFET 中等离子体工艺损坏引起的阈值电压不稳定
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Ono
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K.Eriguchi;Y.Nakakubo;A.Matsuda;M.Kamei;Y.Takao;K.Ono
