LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
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使用 LDD 结构评估基于隧道 FET 的 CMOS 电路的耐辐射性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
呉 研
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Manoharan Muruganathan;Jian Sun and Hiroshi Mizuta;呉 研
