Characterization of high indium content metamorphic InGaAs/InAlAs modulation-doped heterostructures
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DOI：
10.1016/s0022-0248(01)00655-8
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发表时间：
2001-07
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Gozu;T. Kita;Y. Sato;S. Yamada;M. Tomizawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Gozu;T. Kita;Y. Sato;S. Yamada;M. Tomizawa
