Hall effect measurements using low ac magnetic fields and lock-in technique on field effect transistors with molybdenum disulfide channels
Hall effect measurements using low ac magnetic fields and lock-in technique on field effect transistors with molybdenum disulfide channels
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使用低交流磁场和锁定技术对具有二硫化钼通道的场效应晶体管进行霍尔效应测量
DOI：
10.1016/j.physleta.2019.126073
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发表时间：
2020
影响因子：
2.6
通讯作者：
Shioya Inoru
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shimazu Yoshihiro;Iwabuchi Tatsuya;Arai Kensuke;Shioya Inoru
