The influence of III-V on insulator structure on quantum well intermixing
The influence of III-V on insulator structure on quantum well intermixing
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III-V族绝缘体结构对量子阱混合的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takashima;Y. Ikku;M. Takenka;and S. Takagi
