Growth of strain relaxed Si_<1-y>C_y on Si buffer layers by gas-source MBE
Growth of strain relaxed Si_<1-y>C_y on Si buffer layers by gas-source MBE
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气源MBE在Si缓冲层上生长应变松弛Si_<1-y>C_y
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Makoto Konagai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hanae Ishihara;Masahiko Murano;Tatsuro Watahiki;Yoshio Nakamura;Akira Yamada;Makoto Konagai
