Degradation of SiO2/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing
Degradation of SiO2/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing
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高温氢气退火本质上产生的移动离子导致 SiO2/SiC 界面性能下降
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.541
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Chanthaphan;T. Hosoi;Y. Nakano;T. Nakamura;T. Shimura;and H. Watanabe
